%0 Journal Article
%T 低能氩离子激发的俄歇电子谱及其影响
%A 梁际翔
%A 许振嘉
%A 佘觉觉
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 研究了Si、Al和Si_3N_4等材料的低能(≤ 4keV)Ar~+激发的俄歇电子谱及其 L_(2,3)MM峰-峰值与Ar~+离子激发能量的关系.讨论了Ar~+激发的俄歇电子谱对电子激发的俄歇电子谱的影响.在进行组分深度分布测量时,此干扰一般是不可忽略的.探讨了消除或扣除此干扰的条件.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2B7A1FAB4963B331E8655A091E5D0AA6&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&sid=3F419E61BD389CC8&eid=3054A11AD1D7E34A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0