%0 Journal Article
%T 硅外延层错退火的研究
%A 蔡田海
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文报道,通过重复腐蚀研究<111>和<100>两种晶向外延硅中层错的退火现象,发现退火后层错的消除并不都是从外延层表面开始的,往往也会发生在外延层中部的面角位错处或层错起源处.透射电镜观察分析表明,不易退火消除的稳定层错是本征型的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=07B73A664B3A63836632F54DEC191566&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&sid=4A2356A1257A12EB&eid=8C267C8DC97FEEEF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0