%0 Journal Article
%T 氢对氢化无定形硅能隙的影响
%A 陈治明
%A 陈廷杰
%A 孔光临
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 测量了多种淀积条件下的a-Si:H样品的吸收边和光致发光光谱及其在退火过程中的变化;结合这些样品的红外吸收测量,证明这种材料两带尾间的赝隙宽度随氢化程度的加剧而与迁移率隙一致展宽,退氢化使之一致变窄,并使无规网络中悬键增生,产生导带尾下1.20eV处的深施主态,导致相应的缺陷发光.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=40C504E3765AE77CF9E0347D0E0D50D8&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&sid=E42CAFB11D4BE21A&eid=358F98408588E522&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0