%0 Journal Article
%T 漏轻掺杂MOSFET的特性分析及其解析模型
%A 谢连生
%A 陈学良
%A 徐元森
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 制作了1μm沟道长度 LDD nMOSFET,其衬底电流较常规结构的 MOSFET降低了两个数量级,击穿电压提高了5伏.此外,还建立了包括热电子速度饱和和串联电阻在内的LDDMOSFET解析模型.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E70404C2D39102DE28438625F835D95A&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=B31275AF3241DB2D&sid=0A8675156EB60B87&eid=70E3F4DEB0172F14&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0