%0 Journal Article
%T 硅中激光退火点缺陷的钝化/消除
%A 卢励吾
%A 许振嘉
%A 蔡田海
%A 阮圣央
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 利用DLTS证实,经染料脉冲激光退火,红宝石脉冲激光退火和连续Nd:YAG激光退火的硅样品,存在深中心缺陷能级:(Ev + 0.14eV),(Ev + 0.19eV),(Ev + 0.24eV).研究了各种不同的技术以便钝化/消除这些深中心缺陷,其中包括高纯氢、氩气氛下退火,氢等离子体退火和连续CO_2激光退火.实验证明,采用连续CO_2激光退火是较合适的.关于这些深中心缺陷的钝化/消除机理,也进行了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A8A34CFFEE2765D03A9021C7991BBF69&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&sid=366B1248A15658C5&eid=788931E6318420A3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0