%0 Journal Article
%T 非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度
%A 张秀淼
%A 贺国根
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法尤其适用于长寿命测量.所测结果与阶跃电压法和饱和电容法相符.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=480F6F37BDCA7D6A71B0571722726B5C&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&sid=68FDAD96FCC0AB1B&eid=A6683C8C0EB9BCA7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0