%0 Journal Article
%T GaAs中速度过冲特性的分析
%A 冯育坤
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 借助玻尔兹曼输运方程和双温度电子转移模型分析了GaAs中的速度过冲特性,获得了与Monte Carlo计算机模拟一致的结果.利用曲线拟合技术给出了电子漂移速度、电子温度与渡越距离的简单关系式.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4F7076898C1D5C626EE394109E83C08E&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=44FDB9366EDDFA2B&eid=0BD4FAD4A90498AB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0