%0 Journal Article
%T 一种新的CMOS负阻器件
%A 易明銧
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文提出了一种新的,能够产生电流控制型负阻特性的CMOS集成电路结构,并进行了理论分析,导出了负阻特性的特征参数表达式.实验结果与理论分析满意一致.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F2AE27C81DAB9E70A2F3F86CB171BF91&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=09D368C679EC819B&eid=05340B75C67FF664&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0