%0 Journal Article
%T 高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合
%A 陈廷杰
%A 吴灵犀
%A 徐寿定
%A 孟庆惠
%A 于鲲
%A 李永康
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 研究了高纯度LPE-GaAs和VPE-GaAs 在4.2K的光致发光谱.观测到1.44—1.46eV范围内有若干发射峰,它们是残留受主的BA、DA峰的一级声子伴线.由光致发光谱测定了GaAs中纵光学声子能量约为36meV.用一级声子线强度与零级声子线强度之比值定出了C_(As)、Si_(As)和Ge_(As)的s值.实验结果表明在高纯度GaAs中,对于同一种受主杂质,BA峰的s值大于DA峰的s值.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0CFA4F8BE3A674876392B9057B6ABD53&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=954CE65414DD94CA&eid=0584DB487B4581F4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0