%0 Journal Article
%T 氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅退火行为的研究
%A 王正元
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 通过电阻率及霍尔系数的测量,定出了分别在氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅单晶经不同温度退火后的电学参数.发现在350—600℃退火温度范围内,二者的退火行为明显不同.指出这是由于在氢气中区熔生长的NTD硅中形成了“氢-缺陷络合物”施主所致.测得其激活能为:450℃退火后是(26±1)meV;500℃退火后是双能级——(26±1)meV 和(37±1)meV.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8EDAE516A06DBB1D8C18C45B43821195&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&sid=4133DDB79B497495&eid=F50A8B5513721E1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0