%0 Journal Article
%T GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光
%A 王守武
%A 王仲明
%A 许继宗
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为. 另外在N-Ga_(1-x)Al_xAs层的荧光谱中还可以看到一个波长比有源区带到带的辐射还短的辐射.可以认为这是由于在N-P异质界面存在着电子势垒从而导致在N-Ga(1-x)AlxAs层中导带的非平衡电子与在Sn深受主能级上的非平衡空穴复合产生的辐射.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8948D2C2967D517A713A091845CEA534&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=38B194292C032A66&sid=3A0155B37D8FF829&eid=E0F6F365E4766526&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0