%0 Journal Article
%T 亚微米砷化镓气相双层外延与高阻缓冲层
%A 王永晨
%A 朱毅敏
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 文中叙述了 6 Gc、12Gc GaAs FET所需双层外延材料的制备工艺,获得了 3—5μm厚高阻缓冲层及 0.2—0.3 μm厚,浓度 1.0—1.5 ×10~。(17)/cm~3,迁移率 4500-4870 cm~2/V·scc的有源层.列出了有无缓冲层的电学数据.材料用于制作FET,在6G_c下噪声系数2.8dB,增益7-9 dB,在 12GC下噪声 3.5 dB增益 4.0 dB. 文中还提出了采用含有AsOCl的AsCl_3来制备高阻缓冲层,文末进行了简短的讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AEB20F16FD21F208F244C64199A80486&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=38B194292C032A66&sid=B1F98368A47B8888&eid=847B14427F4BF76A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0