%0 Journal Article
%T (AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究
%A 王守武
%A 顾纯学
%A 王仲明
%A 庄婉如
%A 杨培生
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 在室温至 77K范围内测量了 AlGaAs/GaAs DH激光器的正向伏安特性.发现有些激光器在低温下具有负阻的特性. 采用类 Schottky模型对DH激光器中的N-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/n-GaAs异质结的电流传输特性进行分析,认为负阻现象是由于N型(AlGa)As层掺杂浓度偏低,N-n异质结在低温DH激光器正向偏置较大时,电子从n区隧道击穿N-n异质结势垒,或空穴从P型有源区注入N区引起的.此外N-AlGaAs层的施主杂质Sn的电离能很大也对低温负阻有贡献.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CBB203FA10829E4ED5A342EE45C531FF&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=2E41258BCB9A7DB2&eid=315A3D008C6ECFC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0