%0 Journal Article
%T 中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷
%A 吴恩
%A 吴书祥
%A 毛晋昌
%A 秦国刚
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 用电子顺磁共振在中子辐照氢气氛下生长的区熔硅中观察到一个新的三斜对称缺陷,确定了该缺陷的g张量主值和各主轴在晶轴坐标系中的方向余弦.据此对旋转花样图进行了理论计算,与实验结果符合很好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=29B118030A667BBF&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=91C9056D8E8856E0&eid=4BB057F167CF3A60&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0