%0 Journal Article
%T Ni在Si(111)和Si(100)面上吸附的理论研究
%A 田曾举
%A 张开明
%A 叶令
%A 谢希德
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 采用集团模型和分立变分的 Xα方法研究 Ni原子在Si(111)顶位和三度开位吸附,以及在Si(100)四度位和桥位吸附的可能性,由体系的总能量最低确定稳定吸附位置,并在稳定吸附位讨论了Ni-Si成键特性和态密度.结果表明,只有当Si(111)表面弛豫情况下Ni原子才能沿111]方向进入表面以下,但Ni原子也能沿100]方向进入Si表面层.计算所得态密度与实验符合较好.比较所得的态密度和 NiSi_2/Si(111)的界面态密度表明位于表面下的Ni可能是生长NiSi_2的先兆.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ECF8312236C8DC7AD6513ABF9B443444&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=38B194292C032A66&sid=4D7D059FFBF006B9&eid=1A363081E1FF7014&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0