%0 Journal Article
%T FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析
%A 朱钧
%A 靳东明
%A 熊大菁
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 制备了几种PLOTOX结构EEPROM存贮管,对其擦写过程作了测试分析.讨论了擦写时存贮管电容分压的物理模型,实验测量通过超薄氧化层的Fowler-Nordheim隧道电流,推导出在擦写过程中浮栅上存贮电荷量的计算公式.研究了存贮管的阈值电压,特别指出它不仅与浮栅上积累电荷有关,而且与测量时的漏电压有关,建立了存贮管阈值电压的计算公式.最后,介绍了实验结果并作讨论,指出有关公式可作为设计EEPROM存贮单元的基础.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=096222016934D7DAB8DA49E8763A0E65&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&sid=036D726259190A01&eid=3F419E61BD389CC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0