%0 Journal Article
%T 关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附
%A 车静光
%A 张开明
%A 谢希德
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文利用集团模型和电荷自治的休克尔方法研究Cu,Ag,Au在Si(111)和Ge(111)面上可能的吸附位置和电子态,得到这些重金属原子只能吸附在三度开位上,并进入表面以下的结果,与实验观察(LEED,UPS,ISS)的结果一致.文章还计算了吸附体系的电子结构,所得到的态密度与已知的实验数据符合较好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9378D6B99CCC5A10&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=E4BEEBB9A80BC67E&eid=36C49E1242CC2C7A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=0