%0 Journal Article
%T 亚带隙表面光电压谱测定界面态性质
%A 张坚
%A 黄炳忠
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 对表面光电压谱及其瞬态特性应用于研究界面态及其动力学性质作了详细的讨论.在界面态在带隙内的分布是连续的情况,得到费米能级上的电子(或空穴)的俘获截面以及光电离截面,并且可得到带隙内界面态分布的轮廓.利用这方法研究了厚度只有10A左右的硅衬底上自然氧化的氧化膜界面,结果表明它的界面态分布和动力学参数与厚氧化膜界面均有所不同.这对了解界面态的演变提供了有意义的参考.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=536504B39CA52CB3B03256C4D9D7FFBA&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=94C357A881DFC066&sid=D8AE57480552698F&eid=89389F643CA3F778&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0