%0 Journal Article
%T 固相反应形成硅化钛薄膜方法及特性研究
%A 洪沨
%A 李炳宗
%A 姜国宝
%A 黄维宁
%A 张强基
%A 费璐
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本工作研究了固相反应形成硅化钛薄膜的方法及特性.在Ti/Si热处理过程中,氧沾污是一个影响硅化物形成及特性的重要因素.本工作提出了用表面覆盖层抑制氧沾污以形成优良硅化钛薄膜的方法,同时试验了用快速退火技术形成硅化钛的工艺.本文报道和讨论了利用这两种方法形成硅化钛薄膜的实验结果.实验表明,利用这两种方法在适当温度下热处理后能得到电导性能良好的TiSi_2薄膜,而在较低温度下只有富钛的中间相生成.X射线衍射谱给出了高温下明显的择优晶向生长现象.俄歇深度分布表明薄膜中的氧在高温热处理过程中会进行再分布.覆盖层具有阻挡氧原子进入薄膜的效果,并且在晶体的择优晶向生长和氧的再分布效应中起着重要作用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0E7C3C5508E12A0EEE5AD32D5572FDA6&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=38B194292C032A66&sid=002786F01A86D891&eid=82722E2B785EBF0D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0