%0 Journal Article
%T Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的流体静压光荧光研究
%A 赵学恕
%A 李国华
%A 韩和相
%A 汪兆平
%A 陈宗圭
%A 孙殿照
%A 孔梅影
%A 唐汝明
%A 王丽君
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文对Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的子带间跃迁能的压力关系做了77K低温下的光荧光光谱研究.实验结果表明,未掺杂的量子阱的非本征发光主要来自缺陷的束缚激子d~ox.d~ox束缚激子态在量子阱中的压力系数(5meV/kbar)与体材料中的压力系数(2.7meV/kbar)的比较表明,在量子阱中深中心发生了浅化.通过对不同子带间跃迁能的压力关系测量给出了GaAs Γ谷相应能量点的压力系数,结果表明Γ谷并不是以同一压力系数移动的刚性球.最后测量了量子阱的发光强度随压力的变化.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B2B8090E17F0828D&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=94C357A881DFC066&sid=FB36B1C076A263FA&eid=E0172F1A638CE984&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0