%0 Journal Article
%T 氧在GaP(-1-1-1)表面上的吸附特性
%A 邢益荣
%A W.Ranke
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 利用单色的HeII(40.8eV)光电子谱研究了氧在GaP(111)表面上的化学吸附特征.实验表明,在室温下被吸附的氧存在两种形态:α氧和β氧。α氧在价带中的两个光电子峰分别低于价带顶6.0和10.0eV; β氧在价带顶下5.2eV处有一个主峰和在8—9eV处有一个肩峰,它对应于离解态的氧与表面原子的键合.β氧引起Ga3d能级的化学位移为0.8±0.1eV,而α氧不引起位移.在～250℃下退火,大部分的α氧脱附,并有小部分转变为β氧,后者在～550℃时脱附.所有这些结果都与氧在GaAs表面上的吸附特性类似.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E524963F3CCA07154DA8C1B8E2990AC5&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=8CCD0401CC9AE432&eid=34D9E20AD82A0D72&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0