%0 Journal Article
%T AlGaP固溶体的电反射光谱
%A 江德生
%A 涂相征
%A 刘继光
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 研究了Al_xGa_(1-x)P液相外延层(x≤0.58)在2.0eV到5.5eV范围内的电反射调制光谱,对测量的光谱结构进行了分析,得到了AlGaP中E_0、E_1、E_0~＇、E_2各临界点随组分x的变化、有关结构的加宽参数和相对强度.从GaP和AlP的能带出发,对AlGaP固溶体各临界点处的能隙随x的变化按虚晶近似进行了讨论.
%K AlGaP
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=97BA59EFD089E152&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=250DF325A002B9CC&eid=826ED638BDB6F0D0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0