%0 Journal Article
%T GaAs体效应器件中阴极深凹槽引起的静止畴的实验研究
%A 郑一阳
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文通过实验测量了GaAs体效应器件的畴雪崩击穿电压及相应的光发射,并进行了器件的烧毁实验,比较了阴极深几何凹槽和一般的Gunn器件之间的区别,从而说明这一模式的存在.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A98D599C36C9AF3A8F604C958C7434BA&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&sid=D93AD940782892D0&eid=03436AC72A659ACA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0