%0 Journal Article
%T GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场的计算分析
%A 郑一阳
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文讨论了GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场分布,指出掺杂浓度、有源区长度、扩散系数及外加偏压对电场分布的影响,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式进行了比较.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=098AFA5F720D5FA64BCCC9EE1145E0FB&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&sid=8F2250DA83AF77B8&eid=FE6B7E9BDCCDBAA6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0