%0 Journal Article
%T 硅及硅化钽超精细结构的刻蚀
%A 李建中
%A I.Adesi
%A E.D.Wolf
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 在SiF_4/Cl_2混合气体中对Si和 Tasi_2进行了反应离子刻蚀(RIE)的研究.得到中等的蚀速和高度的各向异性腐蚀.蚀速和腐蚀断面与气体成分有关,其它工艺参数影响不很大.用一步腐蚀作出了线宽4000A、间隔1000A 的TaSi_2/poly-Si多层材料的超精细结构.讨论了本系统的腐蚀机理.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=23A0783374CD4B8D0E81624337E9389B&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&sid=9B95A71E6639C039&eid=D0E8F9CBDBE0070C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0