%0 Journal Article
%T A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique<br>一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文）
%A SHEN Ming
%A GENG Bo
%A YU Pei-Ling
%A <br>沈 明
%A 耿 波
%A 于沛玲
%J 中国科学院研究生院学报
%D 2006
%I 
%X 设计射频大功率放大器时,为了传输大的电源电流而加宽的λ/4电源偏置微带线往往不能很好地对偏置电路和信号电路进行隔离,从而影响放大器的性能.本文对一种采用加厚微带线设计λ/4电源偏置电路的方法进行了分析,并根据一种卫星数传发射机的功率放大器设计要求,分别采用本文介绍的方法和传统方法设计了两个功率放大器,给出了分析和试验结果,结果表明加厚λ/4偏置微带线可以比传统方法令功率放大器获得更高的性能,具有较大参考意义.
%K power amplifier
%K bias circuit
%K small signal S parameter
%K power added efficiency (PAE)<br>功率放大器
%K 偏置电路
%K 小信号S参数
%K 功率附加效率PAE
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=B5EDD921F3D863E289B22F36E70174A7007B5F5E43D63598017D41BB67247657&cid=B47B31F6349F979B&jid=67CDFDECD959936E166E0F72DE972847&aid=56B74D49439F4A13&yid=37904DC365DD7266&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=E44E40A2398D4F2A&eid=0D0D661F0B316AD5&journal_id=1002-1175&journal_name=中国科学院研究生院学报&referenced_num=1&reference_num=9