%0 Journal Article
%T 退火对提拉法生长Lu2Si2O7∶Ce晶体闪烁性能的影响
%A 冯 鹤
%J 无机材料学报
%D 2009
%I Science Press
%X Lu2Si2O7∶Ce (LPS∶Ce)表现出较高的光输出, 平均值约26000photons/MeV (简写为ph/MeV), 但通过提拉法获得的晶体发光效率很低. 实验对LPS∶Ce晶体进行了不同气氛下的退火, 研究退火条件对LPS∶Ce的发光效率等闪烁性能的影响. 发现在Ar气氛下退火对LPS∶Ce发光效率的提高没有作用, 在空气气氛下退火后可显著提高LPS∶Ce的发光效率. 通过不同退火工艺的比较, 确定了提高LPS∶Ce发光效率的最佳退火制度：空气气氛下, 退火温度1400℃, 退火时间根据样品的大小决定, 样品越大, 需要的退火时间越长. 同时讨论了退火过程中, LPS∶Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.
%K LPS∶Ce晶体
%K 退火制度
%K 发光效率
%K 吸收谱
%K 发射光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=58FCD9A78297EFA13FCD605BADC9010F&yid=DE12191FBD62783C&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=94C357A881DFC066&sid=1A775ABEB80E436B&eid=10343777FBBF55D5&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=10