%0 Journal Article
%T Crystallization of Amorphous SiCN Ceramic Annealed in Vacuum
真空气氛下非晶硅碳氮(SiCN)陶瓷的高温晶化行为
%A XIA Yi
%A QIAO Sheng-Ru
%A WANG Qiang-Qiang
%A ZHANG Cheng-Yu
%A HAN Dong
%A LI Mei
%A
夏熠
%A 乔生儒
%A 王强强
%A 张程煜
%A 韩栋
%A 李玫
%J 无机材料学报
%D 2009
%I Science Press
%X 以六甲基二硅氮烷为单一前驱体,采用电热裂解化学气相沉积技术制备了SiCN陶瓷. 借助X射线衍射仪、透射电子显微镜研究了真空环境中非晶SiCN陶瓷在1300~1900℃范围内的晶化行为,并根据研究结果,运用分解-结晶机理解释了其晶化过程. 非晶SiCN陶瓷在低于1300℃开始发生分解,形成富Si-C区域,并最终发生β-SiC结晶. 其结晶度随热处理温度的升高而愈加明显.在1700℃处理时发生β-SiC→α-SiC相变. 分解形成的N-难以与Si-结合形成富Si-N区域,最终以N2形式溢出,在整个热处理温度范围没有出现氮气下热处理时存在的Si3N4结晶.
%K amorphous SiCN
%K crystallization
%K phase transition
%K microstructure
非晶SiCN陶瓷
%K 晶化行为
%K 相变
%K 显微结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=32F91ED89746ADF0AE7EC5B7A7CDA39B&yid=DE12191FBD62783C&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=E158A972A605785F&sid=AC3946AB81989513&eid=CE16DE2ABCD4D365&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=15