%0 Journal Article
%T Structure and Dielectric Properties of HfO_2 Thin Films<br>HfO_2栅介质薄膜的结构和介电性质研究
%A CHENG Xue-Rui
%A QI Ze-Ming
%A ZHANG Guo-Bin
%A LI Ting-Ting
%A HE Bo
%A YIN Min
%A <br>程学瑞
%A 戚泽明
%A 张国斌
%A 李亭亭
%A 贺博
%A 尹民
%J 无机材料学报
%D 2010
%I Science Press
%X 采用脉冲激光沉积方法（PLD）在Si (100)衬底上生长了HfO2栅介质薄膜. 利用X射线衍射（XRD）和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)对其结构进行了表征, 利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质进行了研究. 结果表明, 室温下制备薄膜为非晶, 衬底温度400℃时已经形成单斜相的HfO2薄膜, 1000℃退火后薄膜更趋向于（1-11）晶面取向, 且结晶质量改善. 薄膜的局域结构研究显示低衬底温度下生长的样品具有更短的Hf--O键长和更高的无序度. 薄膜结构和薄膜质量影响其远红外声子模式, 使得一些低频红外声子模式消失, 造成其介电常数相对体材料有所降低, 但由于影响介电常数的主要远红外声子模式依然存在, 晶态薄膜仍然能保持一定的介电常数值.
%K HfO2 films
%K high dielectric gate
%K pulsed laser deposition
%K phonon<br>HfO2薄膜
%K 高介电常数栅介质
%K 脉冲激光沉积
%K 声子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=3A46E90CA0EE9C93DF8B6783FDA751B8&yid=140ECF96957D60B2&vid=C5154311167311FE&iid=94C357A881DFC066&sid=3FC4D669D19FF0C6&eid=7D1E6EEC2019967D&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=21