%0 Journal Article
%T Influence of Boron Doping on Growth Characteristic of Diamond Films Prepared by Hot Cathode DC Chemical Vapor Deposition<br>硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响
%A FENG Yu-Jie
%A PENG Hong-Yan
%A CHEN Yu-Qiang
%A <br>吕江维
%A 冯玉杰
%A 彭鸿雁
%A 陈玉强
%J 无机材料学报
%D 2009
%I Science Press
%X 采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电. 掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg·cm-2·h-1. 硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高. 硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构.
%K diamond
%K hot cathode DC
%K chemical vapor deposition (CVD)
%K boron doping<br>金刚石
%K 直流热阴极
%K 化学气相沉积
%K 硼掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=AE7F0F91561574EB5A1F0BE630E32B2F&yid=DE12191FBD62783C&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=38B194292C032A66&sid=D647AF4730396036&eid=FED67FBA0A707330&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=11