%0 Journal Article
%T Effect of Annealing Temperature on Structure and Properties of Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si Heterostructure<br>退火温度对Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结微观结构与性能的影响
%A REN Ming-Fang
%A WANG Hua
%A <br>任明放
%A 王 华
%J 无机材料学报
%D 2008
%I Science Press
%X 采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结. 研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响. 研究表明: 成膜温度较低时,SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜, 但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强; 经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性, 且回滞窗口随退火温度升高而增大, 经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V; 在550～700℃范围内, Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/\\p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降, 当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大, 经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.
%K annealing temperature
%K SrBi2Ta2O9
%K Bi4Ti3O12
%K heterostructure<br>退火温度
%K SrBi2Ta2O9
%K Bi4Ti3O12
%K 异质结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=DADC23338403D9156F9CAF0F0E94D7C7&yid=67289AFF6305E306&vid=EA389574707BDED3&iid=E158A972A605785F&sid=27A3D4EE1F52A91C&eid=F20A770D14436F7C&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=11