%0 Journal Article
%T High-K Gate Dielectric Matrials for 45nm CMOS<br>用于45nm及以下集成电路工艺的高介电常数绝缘栅材料
%A 季振国
%J 无机材料学报
%D 2008
%I Science Press
%X 金属-氧化物-半导体结构（MOS）是目前电子器件中最重要的器件之一，现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展，MOS技术到达了一个关键的转折点．由于器件尺寸不断缩小，导致MOS中氧化层厚度相应减小，电子的隧道穿透效应逐渐显现出来，引起的棚极-沟道漏电流急剧增大，导致器件发热量增加、性能下降甚至失效，因此限制了MOS器件尺寸的进一步缩小．
%K 集成电路工艺
%K 高介电常数
%K 栅材料
%K MOS器件
%K 现代电子技术
%K 电子器件
%K 绝缘
%K 集成电路技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=AECE3008CA48A5D30CBE83282569BEF2&yid=67289AFF6305E306&vid=EA389574707BDED3&iid=E158A972A605785F&sid=ABD3F52B9C9810A2&eid=ABD3F52B9C9810A2&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=0