%0 Journal Article
%T Non-volatile Resistive Random Access Memory based on Oxide Films<br>基于金属氧化物薄膜的电阻式非挥发性随机存储器
%A JI Zhen-Guo
%A <br>季振国
%J 无机材料学报
%D 2009
%I Science Press
%X 电脉冲触发的可逆电阻开关效应(resistive switching)的电阻式随机存储器(ReRAM)是下一代高速高密度非挥发性随机存储器的强有力的竞争者之一.ReRAM具有制备工艺简单,读写速度快,存储密度高,非挥发性以及与硅集成电路工艺兼容性好等优势,与其他形式的存储器相比具有非常明显的优势和十分巨大的应用潜力.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=9AD1BEC2ADD1CAB6CA8BD69FDBEA3195&yid=DE12191FBD62783C&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=E158A972A605785F&sid=9806D0D4EAA9BED3&eid=9806D0D4EAA9BED3&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=0