%0 Journal Article
%T Thermodynamic Analysis and CVT Growth of ZnSe Single Crystal<br>ZnSe单晶CVT法生长与系统优化
%A LIU Chang-You
%A JIE Wan-Qi
%A <br>刘长友
%A 介万奇
%J 无机材料学报
%D 2008
%I Science Press
%X 采用热力学数值计算的方法,分析了ZnSe-I2、H2、HCl和NH4Cl化学气相输运系统的特性.对比计算结果表明, ZnSe-NH4Cl系统具有压力高、输运反应焓变适中的特点. NH3分解产生的H2起着调节输运组分H2se分压的作用.以ZnSe-I2输运系统中实际输运组分分压值为参考,确定了ZnSe-NH4Cl系统中单晶生长工艺参数范围:温度在1000°C左右,NH4Cl的浓度范围在0.5～1.0mg/mL之内.采用该工艺生长了尺寸约为8mm×6mm×4mm 的ZnSe单晶,生长态(111)面摇摆曲线半峰宽为60.48",蚀坑密度(EPD)为(4.5～5.0)×104/cm2.
%K zinc selenide
%K chemical vapor transporting reaction
%K thermodynamic analysis<br>硒化锌
%K 气相输运反应
%K 热力学分析
%K ZnSe
%K 单晶生长
%K 系统优化
%K Single
%K Crystal
%K Growth
%K Analysis
%K 蚀坑密度
%K 半峰宽
%K 曲线
%K 尺寸
%K 工艺参数
%K 浓度范围
%K 温度
%K 作用
%K 组分
%K 调节
%K 分解
%K 反应焓变
%K 输运系统
%K 压力
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=CE11BEB3CB115B3E7DD076B7D835DE28&yid=67289AFF6305E306&vid=EA389574707BDED3&iid=E158A972A605785F&sid=466EAEA150F7AE77&eid=EE7D0B10C851F35D&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=25