%0 Journal Article
%T Effect of Sintering Process on Dielectric Properties of B2O3-doped Ba1-xSrxTiO3 Graded Ceramics<br>烧结工艺对B2O3掺杂Ba1-xSrxTiO3梯度陶瓷介电性能的影响
%A CHENG Hua-Rong
%A <br>程华容
%A 朱景川
%A 全在昊
%A 来忠红
%J 无机材料学报
%D 2005
%I Science Press
%X 研究了烧结温度及升温速率对氧化硼(B2O3)掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷(Ba1-xSrxTiO3,x=0～0.4,步长0.02)的致密化、晶粒尺寸及介电性能的影响.结果表明,随着烧结温度的升高,在氧化硼挥发的同时致密化程度提高,从而居里峰提高且变得尖锐;随着氧化硼含量的增加,晶粒尺寸均匀长大、介电常数和介电损耗都增加;升温速率适中时,掺杂物的挥发、致密化进程及晶粒长大同步完成,梯度陶瓷介电性能才有效提高.此外,钛酸锶钡梯度陶瓷掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度,比未掺杂相同成分的陶瓷烧结温度至少降低150℃,且介电损耗明显减小;梯度陶瓷的居里峰温度区间显著展宽,大大降低了该温区的介温系数,可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性.
%K doped Ba1-xSrxTiO3
%K graded ceramic
%K sintering
%K dielectric property<br>掺杂钛酸锶钡
%K 梯度陶瓷
%K 烧结
%K 介电性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=9ABD42FF1C5324DD&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=A04140E723CB732E&iid=94C357A881DFC066&sid=F9AB8F3D624A89DB&eid=A3A7F1D1E8071003&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=2&reference_num=10