%0 Journal Article
%T Effects of Oxygen Partial Pressure on the Properties of Transparent Conductive ZnO:Ga Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering<br>氧分压对直流磁控溅射制备 ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响
%A MA Quan-Bao
%A YE Zhi-Zhen
%A HE Hai-Ping
%A ZHU Li-Ping
%A ZHANG Yin-Zhu
%A ZHAO Bing-Hui
%A <br>马全宝
%J 无机材料学报
%D 2007
%I Science Press
%X 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO（ZnO：Ga）透明导电薄膜，研究了氧分压对ZnO：Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响．X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构．ZnO：Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小，随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小，在氧分压为0．30Pa时沉积的ZnO：Ga薄膜半高宽最小，晶粒尺寸最大．薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大，沉积薄膜的最低电阻率可达3．50×10^-4Ω·cm．此外，所有ZnO：Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90％．
%K ZnO:Ga<br>透明导电氧化物薄膜
%K 磁控溅射
%K 氧分压
%K 光电特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=2E98CB3C1A75BCF229B5D4A5E93FB058&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=0EFDF9DD0F63E842&eid=76C32027E03E49D7&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=23