%0 Journal Article
%T Properties of Highly Oriented Transparent KTN/SiO_2 (100) Film Prepared by PLD<br>PLD法制备高取向透明KTa0.65Nb0.35O3/SiO2(100)薄膜性能研究
%A WANG Xiao-Dong
%A <br>王晓东
%A 彭晓峰
%A 张端明
%J 无机材料学报
%D 2005
%I Science Press
%X 用PLD技术结合后期退火,在透明石英单晶(100)上制备了高取向的纯钙钛矿相KTN薄膜.对薄膜的光学、电学性能分析表明,薄膜铁电居里温度为15℃,矫顽场7.32kV/cm,剩余极化强度9.25μC/cm2,折射率在波长1.2μm处为1.776,厚度968nm,沉积速率约为0.027nm/脉冲.I-V特性表明,低电场强度下,I-V服从欧姆定律,高电场强度下,I-V服从平方关系,可用空间电荷限制电流(SCLC)模型解释.薄膜漏电流在0～5V内低于250μA/mm2,具有良好的电学性能,C-F测试表明,低频电容色散大,高频色散小,在室温10kHz时介电常数为12600.介电损耗tanδ为0.04.
%K PLD
%K KTN film
%K single crystal quartz<br>PLD技术
%K KTN薄膜
%K 石英单晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=C7D139D9EA4B329A&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=A04140E723CB732E&iid=94C357A881DFC066&sid=966030800FCA5D46&eid=323ACE6C9CE37BAB&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=28