%0 Journal Article
%T Dielectric Relaxation of Gd Doped PbWO4 Single Crystal<br>钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究
%A DONG Ming
%A YE ZuO-Guang
%A <br>黄红伟
%A DONG Ming
%A YE Zuo-Guang
%A 冯锡淇
%J 无机材料学报
%D 2002
%I Science Press
%X 完成了钆离子（Ｇｄ３＋＋）掺杂钨酸铅晶体在４０～６００℃、１～１０６Ｈｚ范围内介电性能的测量．在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰，记为α峰，其激活能为０５０±０，０１ｅＶ，频率因子ｖ＝１．４４×１０９．而在降温过程中，除α峰外还出现了另一介电弛豫峰，记为β峰，其激活能为 ０．５１±０．２ｅＶ，频率因子Ｖ＝２．４４×１０６．α峰和 β 峰均可用 Ｄｅｂｙｅ方程来描述，而其相对强度呈此消彼长的趋势．分析了Ｇｄ：ＰＷＯ中两种介电弛豫峰的起因及其相互关系，并讨论了它们与ＰＷＯ晶体闪烁性能变化之间的关系．
%K dielectric relaxation
%K Gd-doped PbWO4
%K dipole complexes<br>介电驰豫
%K 钨酸铅晶体
%K 偶极缺陷
%K 钆
%K 掺杂
%K 介电性能
%K 固体闪烁晶体
%K 闪烁性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=A8EA2F4996C430B5&yid=C3ACC247184A22C1&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=771469D9D58C34FF&eid=339D79302DF62549&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=17