%0 Journal Article
%T Properties of High-k Gate Dielectric LaAlO3 Thin Films<br>高介电常数的栅极电介质LaAlO3薄膜的性能研究
%A WANG Dong-Sheng
%A YU Tao
%A YOU Biao
%A XIA Yi-Dong
%A HU An
%A LIU Zhi-Guo
%A <br>王东生
%A 于涛
%A 游彪
%A 夏奕东
%A 胡安
%A 刘治国
%J 无机材料学报
%D 2003
%I Science Press
%X 在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
%K gate dielectric materials
%K high-k
%K LaAlO3 thin films<br>栅极电介质材料
%K 介电常数
%K LaAlO3薄膜
%K 铝酸镧
%K 半导体集成电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=BC2AF0A60A40C4D7&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=F8035C8B7D8A4264&eid=E1D946F217E3B046&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=7