%0 Journal Article
%T Deposition and Properties of a C:H(N) Films<br>a-C:H(N)薄膜的制备及性能
%A CHENG Yu-Hang
%A WU Yi-Ping
%A CHEN Jian-Guo
%A QIAO Xue-Liang
%A XIE Cang-Sheng
%A XU De-Sheng
%A <br>程宇航
%A 吴一平
%A 陈建国
%A 乔学亮
%A 谢长生
%A 许德胜
%J 无机材料学报
%D 1999
%I Science Press
%X 采用射频－直流等离子化学气相沉积法用Ｃ２Ｈ２、Ｎ２和Ａｒ组成的混合气体制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜，研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性。实验结果表明，ａ－Ｃ：：Ｈ（Ｎ）薄膜的沉积速率随混合气体中Ｃ２Ｈ２含量的增加而增大，当混合气体中Ｎ２含量增加到７５％时，薄膜的含氮量增大到９．０９％。薄膜中Ｃ、Ｎ原子以Ｃ≡Ｎ和Ｃ－Ｎ键的形式存在，结合进薄膜中的氮大大降低薄膜的直流电阻率。
%K a
%K C:H(N) films
%K plasma enhanced chemical vapor deposition
%K deposition process
%K direct current resistivity<br>C：H（N）薄膜
%K 化学气相沉积
%K 制备
%K 工艺
%K 电阻率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=10930A96AEC66F6C&yid=B914830F5B1D1078&vid=F3583C8E78166B9E&iid=E158A972A605785F&sid=ED9DF3402785F68D&eid=6EEC242D0D8BE428&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=15