%0 Journal Article
%T Study of Deep Bulk Traps of Low-Temperature-Sintered SrTiO3 GBBL Capacitors<br>低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究
%A LI Zheng
%A WANG Ping-Chu
%A XU Bac--Min
%A YIN Zhi-Wen
%A <br>李峥
%A 王评初
%A 徐保民
%A 殷之文
%J 无机材料学报
%D 1998
%I Science Press
%X 本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处．提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε～T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象．根据给出的合体深能级的等效电路模型，计算机拟合结果与实验数据基本相符．
%K SrTiO_3
%K GBBL capacitor
%K dielectric constant
%K deep bulk trap<br>钛酸锶
%K 晶界层电容器
%K 介电性质
%K 体深能级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=EB290F7852E805ED25143C18076B989E&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F1177A9DF1349B63&eid=43608FD2E15CD61B&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=1&reference_num=12