%0 Journal Article
%T Reaction Mechanism of Preparing Porous Silicon Nitride/Silicon Carbide Composite Ceramics<br>多孔氮化硅/碳化硅复合材料制备的反应机理分析
%A ZHANG Wen
%A WANG Hong-Jie
%A JIN Zhi-Hao
%A BAI Yu
%A <br>张雯
%A 王红洁
%A 金志浩
%A 白玉
%J 无机材料学报
%D 2005
%I Science Press
%X 为了探索碳热还原法制备多孔氮化硅／碳化硅（Si3N4／SiC）复合陶瓷材料在高温阶段的反应机理，采用固化的酚醛树脂为碳源，通过热解产生具有反应性的碳，使之在1300-1780℃等不同温度下与表面包裹的氮化硅粉反应，氩气为保护气氛，通过对试样的XRD、TEM分析和显微结构观察，结合反应的热力学和动力学结果计算推测，树脂裂解碳与Si3N4反应生成SiC的机理主要为si3N4分解生成Si（1）与C进一步发生的液-固反应，和Si（1）与反应过程中的中间产物CO（g）之间发生的液-气反应，其他还包括C与Si3N4间直接进行的固-固反应；C与Si3N4表面的SiO2间的气-固反应以及由SiO（g）、Si（g）参与的气-固反应，树脂裂解碳与Si3N4从1400℃左右开始发生反应形成SiC，温度升高对SiC层的生长有促进，保温时间的延长对SiC层的生长厚度影响较大。
%K mechanism
%K porous ceramics
%K silicon nitride
%K silicon carbide<br>反应机理
%K 多孔陶瓷
%K 氮化硅
%K 碳化硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=8467BC210082BDF4&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=A04140E723CB732E&iid=94C357A881DFC066&sid=B7C3373069B7AC9F&eid=EC37857E7CB2811A&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=7&reference_num=18