%0 Journal Article
%T Fabrication and Properties of Pulsed Laser Deposited Wide Band-gap Zn0.9Mg0.1O:Ga Conducting Films<br>Zn0.9Mg0.1O:Ga宽带隙导电膜的 PLD制备及性能研究
%A CHEN Zhi-Qiang
%A FANG Guo-Jia
%A LI Chun
%A SHENG Su
%A ZHAO Xing-Zhong
%A <br>陈志强
%J 无机材料学报
%D 2006
%I Science Press
%X 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMOGa)宽带隙透明导电薄膜.采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后,其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.
%K ZnMgO:Ga films
%K pulsed laser deposition (PLD)
%K substrate temperature
%K vacuum annealing<br>ZnMgO:Ga膜
%K 脉冲激光沉积
%K 沉积温度
%K 真空退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=C9C60036DD239BCD&yid=37904DC365DD7266&vid=659D3B06EBF534A7&iid=38B194292C032A66&sid=E008F9AD6D4B96EF&eid=AB720B703F452703&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=21