%0 Journal Article
%T Effects of Process Conditions on Electric Properties of Hot-filament CVD Diamond Films<br>工艺条件对热丝 CVD金刚石薄膜电学性能的影响
%A LIU Jian-Min
%A XIA Yi-Ben
%A WANG Lin-Jun
%A ZHANG Ming-Long
%A SU Qing-Feng
%A <br>刘健敏
%A 夏义本
%A 王林军
%A 张明龙
%A 苏青峰
%J 无机材料学报
%D 2006
%I Science Press
%X 采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜．讨论了薄膜退火前后的介电性能．研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系．通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性．结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量．获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1．2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5．73,介电损耗为0．02．
%K annealing process
%K CVD diamond films
%K deposition condition<br>退火工艺
%K 化学气相沉积金刚石薄膜
%K 沉积条件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=316791230F7648DD&yid=37904DC365DD7266&vid=659D3B06EBF534A7&iid=E158A972A605785F&sid=5839F1C61E1C000D&eid=6A2E9D0F5619615A&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=13