%0 Journal Article
%T Recent Advances in Synthesis and Properties of Cubic Boron Nitride Films<br>立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展
%A ZHANG Xing-Wang
%A YOU Jing-Bi
%A CHEN Nuo-Fu
%A <br>张兴旺
%A 游经碧
%A 陈诺夫
%J 无机材料学报
%D 2007
%I Science Press
%X 立方氮化硼（c-BN）具有优异的物理和化学性质,在力学、光学和电子学等方面有着广泛的应用前景.自上世纪80年代开始,低压沉积c-BN薄膜的研究迅速发展,到90年代中期达到高潮,随后进展缓慢,c-BN薄膜研究转入低潮.近年来,c-BN薄膜研究在几方面取得了突破,如获得与衬底粘附良好、厚度超过1μm的c-BN厚膜;成功实现了c-BN单晶薄膜的异质外延生长;此外,在c-BN薄膜力学性质和过渡层微结构研究方面也取得了进展.本文主要评述最近几年c-BN薄膜研究在以上几方面取得的最新进展.
%K cubic boron nitride (c-BN) films
%K heteroepitaxy
%K stress
%K adhesion<br>立方氮化硼薄膜
%K 异质外延
%K 应力
%K 粘附性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=B3346F75A281AB34&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=BC12EA701C895178&iid=38B194292C032A66&sid=44FDB9366EDDFA2B&eid=A22854835F81B3F8&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=43