%0 Journal Article
%T 飞秒脉冲激光沉积 Si基α轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及I-V特性研究
%A 周幼华
%A 郑启光
%A 杨光
%A 龙华
%A 陆培祥
%J 无机材料学报
%D 2006
%I Science Press
%X 采用飞秒脉冲激光沉积系统，在Si（111）衬底上制备了α轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜．X射线衍射（XRD）表明；室温（20℃）下沉积的Bi4Ti3O12／Si（111）薄膜呈C轴择优取向，晶粒的平均直径为20nm．在500℃沉积的Bi4Ti3O12／Si（111）薄膜呈α轴择优取向．测量了薄膜的电滞回线和，I-V特性曲线，并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的，I-V特性曲线和铁电性的关联性．α轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC／cm^2，矫顽力Ec=48kV／cm．
%K 飞秒
%K 脉冲激光沉积法（PLD）
%K 钛酸铋
%K 铁电薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=6B7B1D9F517CA343CD7AFEFA66548ED3&yid=37904DC365DD7266&vid=659D3B06EBF534A7&iid=94C357A881DFC066&sid=2C05A9EACD668BFF&eid=83BD01456E8187CE&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=19