%0 Journal Article
%T Morphology and Growth Mechanism of Zirconium Oxide High-k Dielectric Films<br>沉积工艺对高 k栅介质 ZrO2薄膜生长行为的影响
%A MA Chun-Yu
%A LI Zhi
%A ZHANG Qing-Yu
%A <br>马春雨
%A 李智
%A 张庆瑜
%J 无机材料学报
%D 2007
%I Science Press
%X 采用反应射频磁控溅射法在Si（100）基片上制备了ZrO2薄膜，通过高分辨电子显微镜、原子力显微镜，研究了沉积工艺参数（主要包括氧分压和沉积温度）对ZrO2薄膜的表面形貌和微结构的影响．研究结果显示；氧分压和沉积温度是影响ZrO2薄膜生长行为的重要因素．随氧分压的增大，ZrO2薄膜的表面粗糙度近乎呈线形增加的趋势，ZrO2薄膜微结构演化过程是a-ZrO2（非晶）→a-ZrO2和少量m-ZrO2（单斜）→m-ZrO2和少量t-ZrO2（四方）→m-ZrO2；随沉积温度从室温升高到550℃，ZrO2薄膜微结构演化过程是a-ZrO2（〈250℃）→m-zrO2和少量a-ZrO2（450℃）→m-ZrO2和少量t-ZrO2（550℃）；此外，根据薄膜微结构和表面形貌的研究结果，探讨了沉积温度对薄膜生长行为的影响及其物理机制．
%K ZrO2 films
%K RF magnetron sputtering
%K film growth
%K microstructure<br>ZrO2薄膜
%K 射频磁控溅射
%K 薄膜生长
%K 微结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=6EE85D266A4066E6&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=81D76BB45305F8B7&eid=0B9C8D3D9D6254B2&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=14