%0 Journal Article
%T Growth of High Quality PWO Single Crystal<br>高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长
%A YANG Pei-Zhi
%A LIAO Jing-Ying
%A SHEN Bing-Fu
%A SHAO Pei-Fa
%A NI Hal-Hong
%A FANG Quan-Xing
%A YIN Zhi-Wen
%A <br>杨培志
%A 廖晶莹
%A 沈炳孚
%A 邵培发
%A 倪海红
%A 方全兴
%A 殷之文
%J 无机材料学报
%D 2002
%I Science Press
%X 用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体，晶体毛坯的尺寸为２８ｍｉｎ×２８ｍｍ×３６０ｍｍ；晶体的生长工艺参数为：籽晶取向［００１］；下降速度 ０．６～１．０ｍｍ／ｈ；生长界面附近的温度梯度为２０～３０℃／ｃｍ，加工后的晶体成品在４２０ｎｍ附近的透过率＞６０％；在３６０ｎｍ附近的透过率＞２５％．晶体的光输出＞９ｐ．ｅ／ＭｅＶ；光伤＜５％．
%K PWO crystal
%K modified Bridgman method
%K impurity analysis
%K scintillation perfor mance<br>钨酸铅晶体
%K 坩埚下降法
%K 杂质分析
%K 闪烁性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=05FA512BA37A4A47&yid=C3ACC247184A22C1&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=AA27B676BFCAA4BE&eid=797D49279EA93BC4&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=5&reference_num=10