%0 Journal Article
%T Influence of Si4+ Ion on Scintillation Properties and Radiation Hardness of Y3+ Doping PbWO4 Crystals<br>Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响
%A ZHANG Xin
%A LIAO Jing-Ying
%A XIE Jian-Jun
%A SHEN Bing-Fu
%A SHAO Pei-Fa
%A LI Chang-Quan
%A YUAN Hui
%A YIN Zhi-Wen
%A <br>张昕
%A 廖晶莹
%A 谢建军
%A 沈炳孚
%A 邵培发
%A 李长泉
%A 袁辉
%A 殷之文
%J 无机材料学报
%D 2002
%I Science Press
%X Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.
%K lead tungstate
%K doping
%K radiation hardness
%K scintillation<br>Y^3＋：PbWO4晶体
%K 钨酸铅
%K 掺杂
%K 辐照硬度
%K 闪烁性能
%K 钇（Ⅲ）
%K 硅（Ⅳ）离子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=E22E1732AE5DAB1E&yid=C3ACC247184A22C1&vid=BCA2697F357F2001&iid=94C357A881DFC066&sid=90EAFEE49150CFCD&eid=AB8B0EE7E1A96CB2&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=7