%0 Journal Article
%T Effect of TiO2 Seeding Layer on Crystalline Orientation and Ferroelectric Properties of Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12 Thin Films<br>TiO2种子层对Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响
%A LI Jia
%A YU Jun
%A PENG Gang
%A WANG Yun-Bo
%A ZHOU Wen-Li
%A <br>李佳
%A 于军
%A 彭刚
%A 王耘波
%A 周文利
%J 无机材料学报
%D 2007
%I Science Press
%X 用sol—gel法分别制备了直接沉积在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上和加入了TiO2种子层的Bi3．15Nd0．85Ti3O12（BNT）铁电薄膜，研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响．XRD结果表明直接沉积在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上的BNT薄膜具有（117）和（001）的混合取向，而加入TiO2种子层之后薄膜的最强峰为（200）取向；FE-SEM显示具有TiO2种子层的BNT薄膜，其表面主要是由具有非C轴取向的晶粒组成且更为致密；直接沉积的BNT薄膜和具有TiO2种子层的BNT薄膜的剩余极化Pr值分别为26和43．6μC／cm^2，矫顽场强＆分别为91和80．5kV／cm；疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性，TiO2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性；两种薄膜的漏电流密度均在10^-6-10^-5A／cm^2之间．
%K sol-gel
%K Bi3
%K 15Nd0
%K 85Ti3O12<br>铁电薄膜
%K TiO2种子层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=ABC0063016AF57E1C73EF43C8D2212BD&aid=2E98CB3C1A75BCF2FA9E1264F724DEFA&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=D16E75D5E400A93D&eid=D7FC8AF637611368&journal_id=1000-324X&journal_name=无机材料学报&referenced_num=0&reference_num=12